सामान्य 200 मिमी सीएमओएस चिप्स की वेफर निर्माण प्रक्रिया।
रासायनिक वाष्प जमाव एक ऐसी तकनीक है जिसका उपयोग माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण में एक पतली फिल्म जमा करने के लिए किया जाता है, जो एक ढांकता हुआ पदार्थ या अर्धचालक हो सकता है। भौतिक वाष्प जमाव तकनीक स्पटरिंग लक्ष्यों को प्रभावित करने और वेफर की सतह पर वांछित सामग्री जमा करने के लिए अक्रिय गैसों का उपयोग करती है। प्रक्रिया प्रतिक्रिया कक्ष के अंदर उच्च तापमान और वैक्यूम वातावरण इन धातु परमाणुओं को अनाज बनाने का कारण बन सकता है, जिन्हें वांछित प्रवाहकीय सर्किट प्राप्त करने के लिए पैटर्न और नक्काशी किया जा सकता है।
ऑप्टिकल विकास एक फोटोमास्क से ग्राफिक्स को एक पतली फिल्म में परिवर्तित करने की प्रक्रिया है। ऑप्टिकल विकास में आम तौर पर फोटोरेसिस्ट कोटिंग, बेकिंग, प्रकाश संरेखण, एक्सपोज़र और विकास जैसे चरण शामिल होते हैं। सूखी नक़्क़ाशी सबसे अधिक इस्तेमाल की जाने वाली नक़्क़ाशी विधि है, जो प्रतिक्रिया को चलाने के लिए मुख्य नक़्क़ाशी माध्यम के रूप में गैस और प्लाज्मा का उपयोग करती है। नक़्क़ाशी किसी सतह से अवांछित सामग्री को हटाना है।
केमिकल मैकेनिकल पॉलिशिंग (सीएमपी) एक ऐसी तकनीक है जो मैकेनिकल पॉलिशिंग और एसिड-बेस सॉल्यूशन आधारित रासायनिक पॉलिशिंग दोनों को जोड़ती है, जो वेफर सतह को अपेक्षाकृत सपाट बना सकती है और बाद की प्रक्रियाओं को सुविधाजनक बना सकती है। पीसने के दौरान, पीसने वाला घोल वेफर और पीसने वाले पैड के बीच होता है। सीएमपी को प्रभावित करने वाले कारकों में ग्राइंडिंग हेड का दबाव और वेफर का सपाट होना, घूमने की गति, ग्राइंडिंग घोल की रासायनिक संरचना आदि शामिल हैं।
